Electronic Devices Dept
電子デバイス部門
600V耐圧のスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFET（DTMOSVIシリーズ）
- 電源の高効率化に貢献する600V耐圧のスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFETラインアップ拡充
- 低RDS（ON） × Qgd（ドレイン・ソース間オン抵抗 × ゲート・ドレイン間電荷量）を実現し、スイッチング電源の高効率化が可能
メーカー：東芝デバイス＆ストレージ株式会社
URL：https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor.html
データセンター向け高効率スイッチング電源、太陽光発電パワーコンディショナーなどに適した、スーパージャンクション構造の当社最新世代プロセス[注1]を採用した600V耐圧NチャネルパワーMOSFET「DTMOSVI（ディーティーモスシックス）シリーズ」のラインアップを拡充しました。
600V耐圧のDTMOSVIシリーズは、ゲートデザインおよびプロセスの最適化により、同耐圧の当社従来世代DTMOSIV-H（ディーティーモスフォーエイチ）シリーズと比べて、単位面積あたりのドレイン・ソース間オン抵抗を約13%低減し、性能指数の「ドレイン・ソース間オン抵抗 × ゲート・ドレイン間電荷量」を約52%低減しています。これにより、DTMOSVIシリーズは、低導通損失および低スイッチング損失の両立を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献します。
回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル（G0モデル）に加えて、パワーデバイスの過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル（G2モデル）も提供します。
応用機器
- スイッチング電源 （データセンターのサーバー用など）
- 太陽光発電パワーコンディショナー
- 無停電電源装置
| 品番 | パッケージ | ドレイン・ ソース間 電圧 VDSS （V） |
ドレイン 電流 （DC） ID （A） |
ドレイン・ ソース間 オン抵抗 RDS（ON） （Ω） |
ゲート入力 電荷量 Qg （nC） |
ゲート･ ドレイン間 電荷量 Qgd （nC） |
入力 容量 Ciss （pF） |
当社従来シリーズ （DTMOSIV） 品番 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS=10V | ||||||||
| Max | Typ. | Typ. | Typ. | |||||
| TK040N60Z1 | TO-247 | 600 | 52 | 0.040 | 85 | 22 | 5200 | TK62N60X TK62N60W |
| TK080N60Z1 | TO-247 | 30 | 0.080 | 43 | 12 | 2510 | TK31N60X TK31N60W |
|
| TK080A60Z1 | TO-220SIS | TK31A60W | ||||||
| TK085V60Z1 | DFN8×8 | 0.085 | TK31V60X TK31V60W |
|||||
| TK125N60Z1 | TO-247 | 20 | 0.125 | 28 | 8 | 1620 | TK25N60X TK20N60W |
|
| TK125A60Z1 | TO-220SIS | TK25A60X | ||||||
| TK130V60Z1 | DFN8×8 | 18 | 0.130 | TK25V60X | ||||
| TK155A60Z1 | TO-220SIS | 17 | 0.155 | 24 | 7 | 1350 | TK20A60W | |
| TK165V60Z1 | DFN8×8 | 16 | 0.165 | TK20V60W |
